【图】我校聘任日本东芝半导体公司助川博先生、今宫贤一先生为兼职教授
发布日期：2006-11-15 阅读次数：
供稿：陈洋 摄影：毛宇峰、陈洋 编辑：张玮
2006年11月14日下午，我校在主楼二层会议室举行了聘任日本东芝半导体公司助川博先生、今宫贤一先生为兼职教授的仪式，出席人员有我校副校长杨树兴、国际交流合作处处长王庆林、副处长汪滢、人事处副处长黄晓鹏、教务处副处长闫达远、信息科学技术学院院长仲顺安。
今宫贤一先生
聘任仪式上首先由信息科学技术学院院长仲顺安介绍了日本东芝半导体公司助川博先生、今宫贤一先生的基本情况。
助川博先生现任日本东芝半导体公司NAND闪存应用部部长、SmartMedia存储卡标准技术委员会主席，主要研究方向为NAND存储器件及应用系统。作为东芝公司NAND Flash Memory应用部门的最高技术领导，助川博先生对推动NAND闪存器件在全世界广泛而快速的应用作出了很大的贡献。在其领导下，东芝公司的开发团队不仅成功地研发出东芝NAND闪存所使用的控制器及应用系统，也为世界通用的SmartMedia存储卡设计了通用的技术标准，更新了xD图象存储卡的标准。助川博先生在从事半导体存储技术的多年研究工作中取得了辉煌的成绩，他拥获美国专利12项；拥获美国实用新型技术专利15项；在权威刊物上发表研究论文4篇。
今宫贤一先生现任日本东芝半导体公司设计评价部部长，主要研究方向为数字存储器控制电路设计。今宫贤一先生于1986年加盟东芝，作为东芝半导体公司半导体存储器控制电路的设计者和技术领导，参加和领导了从1Mbit EPROM (1.2um)到4Gbit MLC NAND Flash (90nm)多达8种数字半导体存储器控制电路的设计，为推动半导体数字存储技术的发展和数字存储器在世界范围内的广泛应用作出了贡献。今宫贤一先生的应用研究成果是十分丰富的，他在各种国际会议上共发表论文17篇；在各种期刊杂志上发表论文13篇；在多年的创新研究工作中，共拥获美国专利116项。
副校长杨树兴讲话
副校长杨树兴发表讲话，对助川博先生和今宫贤一先生加盟北京理工大学表示热烈的欢迎，并介绍了学校近期发展状况和未来规划，同时希望助川博先生和今宫贤一先生的到来能够进一步提升我校相关领域的科研实力。到会的其他领导也都分别发表讲话表示对助川博先生和今宫贤一先生加盟我校的欢迎。
副校长杨树兴为今宫贤一先生颁发聘书
聘任仪式最后，副校长杨树兴为今宫贤一先生颁发了聘书，亲自为他佩戴我校校徽，并赠送了纪念品。到会全体人员再次对助川博先生和今宫贤一先生的加盟表示诚挚的感谢和热烈的欢迎。
与会领导和日方代表合影
（注：日本东芝公司在半导体数字存储技术领域是世界顶级企业，它即是当今世界应用最为广泛的数字存储器--NAND Flash Memory的发明者，同时也是最大的生产商之一。）
